集电极

NPN型三极管放大导通必须满足的条件:()。

A、基极加正向电压,集电极加反向电压

B、基极加反向电压,集电极加正向电压

C、发射极加反向电压,集电极加正向电压

D、发射极加正向电压,集电极加反向电压

NPN三极管放大导通必须满足这样的条件,即()。

A、发射极加正向电压,集电极加反向电压

B、发射极加反向电压,集电极加正向电压

C、基极加反向电压,集电极加正向电压

D、基极加正向电压,集电极加反向电压

在某一晶体管谐振功率放大器中,已知集电极电源电压VCC=24V,集电极脉冲电流中的直流分量IC0=200mA,输出功率Po=4W,电压利用系数ξ=0.95。试求:集电极电源电压VCC提供的功率P=、集电极效率ηc、谐振阻抗Rp、集电极脉冲电流中的基波分量振幅Ic1m和通角θc。

共射极放大电路的电源电压是通过集电极电阻加到集-射极之间的,集电极的静态工作点电压等于电源电压减去集电极电阻上的电压。()

[多选]三极管的主要参数有()。
A.反向饱和电流
B.穿透电流
C.集电极最大允许电流
D.集电极-发射极击穿电压
E.集电极最大允许耗散功率

某高频功率放大器工作于临界状态,输出功率Po=3W,集电极电源电压VCC=24V,通角θc=76°。已知晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.5S,晶体管转移特性曲线斜率gc=0.2S,导通电压Ubz=0.6V。试求:集电极电流脉冲的振幅ICM、集电极脉冲电流中的直流分量IC0、集电极脉冲电流中的基波分量振幅Ic1m、集电极电源电压VCC提供的功率P=集电极效率ηc、谐振阻抗Rp、基极电源电压VBB和输入电压信号ub(t)的振幅Ubm。

如果晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏,当基极电流增大时,将使晶体三极管()。

A、集电极电流减小

B、集电极电压Uc上升

C、集电极电流增大

三极管的极限参数主要有()。

A、集电极最大允许电流ICM

B、集-射极击穿电压(基极开路)UCEO

C、集电极-基极反向饱和电流ICEO

D、穿透电流ICEO

E、集电极最大允许耗散功率PCN

若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。

A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流增大

谐振功率放大器工作于临界状态,集电极电源电压VCC=18V,晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.6S,通角θc=90°。若输出功率Po=1.8W,试计算:集电极电源电压VCC提供的功率P=、集电极效率ηc、谐振阻抗Rp和集电极耗散功率Pc。若通角θc减小到80°,它们又为何值?

[单选题,10分]NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则三极管
A.基极电流不变
B.集电极对发射极电压
C.基极电流变大
D.集电极对发射极电压VcE上升

测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V,V2=-5V,V3=-0.3V,则可判断()

A、该管为NPN管,材料为硅,1极为集电极B、该管为NPN管,材料为锗,2极为集电极C、该管为PNP管,材料为硅,1极为集电极D、该管为PNP管,材料为锗,2极为集电极

功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:集电极-发射极允许最高击穿电压,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和()。

A、基极最大允许直流功率线

B、基极最大允许电压线

C、临界饱和线

D、二次击穿功率线

关于通角θ的说法正确的是().

A、θ是指一个信号周期内集电极电流导通角度

B、θ是指一个信号周期内集电极电流导通角度的一半

C、θ是指一个信号周期内集电极电流导通角度的两倍

功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:集电极-发射极允许最高击穿电压,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和______
A.基极最大允许直流功率线
B.基极最大允许电压线
C.临界饱和线
D.二次击穿功率线

晶体三极管组成的共集电极放大电路,由于输入、输出回路以集电极作为公共端,发射极为输出端,所以常称为()。

GTR的主要参数有()。

A、电流放大系数

B、最高工作电压

C、集电极最大允许电流

D、集电极最大耗散功率

晶体三极管组成的共集电极放大电路,由于输入、输出回路以集电极作为公共端,发射极为输出端,所以常常把它叫做()。

正向AGC是利用增大被控管的()而使功率增益下降的。

A.集电极电压

B.基极电压

C.基极电流

D.集电极电流

共发射极电路的接线方法,下列叙述正确的是()。

A、将发射极接地,基极与发射极为输入端,集电极与基极为输出端B、将发射极接地,基极与发射极为输入端,集电极与发射极为输出端C、将发射极接地,基极与集电极为输入端D、将发射极接地,基极与发射极为输出端