应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知( )。
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同
B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
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A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同
B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
在用穿过式线圈检查导电圆棒时,圆棒中心的磁场强度()
A、等于零
B、等于圆棒表面的磁场强度
C、比表面的磁场强度小,但不等于零
D、两者都不是
通过塑料盘的光线亮度随所加磁场强度的平方成正比减弱。
对这句话的理解,正确的一项是:___
A:通过塑料盘的光线亮度的减弱与所加磁场强度减弱的平方成正比
B:通过塑料盘的光线亮度随所加磁场强度的增加而减弱,减弱程度与所加磁场强度的平方成正比
C:通过塑料盘的光线亮度的平方随所加磁场强度的平方而减弱,二者是成正比的
D:通过塑料盘的光线亮度随所加磁场强度的增加而减弱,减弱的程度与磁场的强度成正比
工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是()。
A、深度越大,漏磁场强度越高
B、深度越小,漏磁场强度越低
C、深度越小,漏磁场强度越高
D、深度与漏磁场强度无关