载流子

以下关于本征半导体特性的描述中，正确的是(　　)
A.本征半导体中的载流子只有自由电子B.本征半导体中的载流子只有空穴C.本征半导体中的载流子既有自由电子，也有空穴，且浓度相等D.本征半导体中的载流子浓度与温度无关

在N型杂质半导体中，多数载流子是，少数载流子是。

[判断题]在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）
A．正确
B．错误

[填空题]在P型半导体中（）是多数载流子；在N型半导体中电子是多数载流子。

15.(判断题)在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。()(本题2.0分)
A、正确
B、错误

利用霍尔片，我们可以测量一步到位哪些物理量（）。
A、磁场；B、电功率；C、载流子浓度；D、载流子类型。

(填空题)N型半导体中多数载流子是___,P型半导体中多数载流子是____。(本题4.0分

1.(填空题)N型半导体中多数载流子是___,P型半导体中多数载流子是____。(本题4.0分)

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。

A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加

B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少

C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加

D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加

光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3，求少数载流子浓度和电阻率。

半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）

A、越高

B、不确定

C、越低

D、不变

PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。

在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。

A、正离子数

B、负离子数

C、质子

D、原子

下列关于P型半导体的说法正确的是()。

A、自由电子`数大于空穴总数

B、空穴总数远大于自由电子数

C、自由电子成为多数载流子

D、空穴成为少数载流子

简述光生伏特效应中正确的是（）

A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；

B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；

C、平衡载流子破坏原来的热平衡；

D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。

假设某LED具有100MHz的3-dB电带宽（完全决定于其载流子寿命）。试求载流子寿命，并画出此二极管在0~500MHz范围内类似于下图的归一化频率响应曲线

[单项选择题]在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。
A．空穴／自由电子
B．自由电子／空穴
C．空穴／共价键电子
D．负离子／正离子

一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。

A、1/4；

B、1/e；

C、1/e2；

D、1/2

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。