下列关于P型半导体的说法正确的是()。
A、自由电子`数大于空穴总数
B、空穴总数远大于自由电子数
C、自由电子成为多数载流子
D、空穴成为少数载流子
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下列关于P型半导体的说法正确的是()。
A、自由电子`数大于空穴总数
B、空穴总数远大于自由电子数
C、自由电子成为多数载流子
D、空穴成为少数载流子
光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上,假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3,求少数载流子浓度和电阻率。