刻蚀有哪些参数?
晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术,一次掺杂成功。
A、对
B、错
升华
氧化物有两个生长阶段来描述,分别是线性阶段和抛物线阶段。
有限表面源扩散
离子注入是一个物理过程,不发生化学反应。