LTE别于TD的设计目标包含()
A、峰值速率:下行100Mbps,上行50Mbps,
B、支持增强型MBMS,
C、系统结构简单化,降低建网成本,
D、频带带宽设置灵活配比
E、TDD时分双工
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LTE别于TD的设计目标包含()
A、峰值速率:下行100Mbps,上行50Mbps,
B、支持增强型MBMS,
C、系统结构简单化,降低建网成本,
D、频带带宽设置灵活配比
E、TDD时分双工
如下图所示的电路符号代表()管。
A、耗尽型PMOS
B、耗尽型NMOS
C、增强型PMOS
D、增强型NMOS