和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是()。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大-题目网

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以下关于CMOS系列集成门电路说法中，正确的是(　　)
A.主要由场效应管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快B.主要由场效应管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢C.主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快D.主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢
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A.速度高于静态RAM
B.不需要刷新电路
C.集成度高于静态RAM
D.一般用于存放程序代码

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以下对动态RAM描述正确的是（）
A、速度高于静态RAM
B、不需要刷新电路
C、集成度高于静态RAM
D、一般用于存放程序代码

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ASLC模拟用户板中采用高集成度的IC，每板可容（）路模拟用户。
A、8
B、12
C、16
D、24

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微处理机构的功能主要取决于（）。
A、信息处理器所能具有的集成度
B、寄存器所能具有的集成度
C、外部设备的功能

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