以下对动态RAM描述正确的是()
A、速度高于静态RAM
B、不需要刷新电路
C、集成度高于静态RAM
D、一般用于存放程序代码
和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是()。
A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大
B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小
C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小
D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大
大规模集成电路是集成度在()电子元件的集成电路;超大规模集成电路一般指集成度达()电子元件的集成电路。
A、1000左右,1万个左右
B、3000-10万,10万-100万
C、100-5000,5000-1万
D、500-5万,5万-50万