和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是________。A．集成度高，存取周期快，位平均功耗少B．集成度高，存取周期快，位平均功耗大C．集成度低，存取周期快，位平均功耗大-题目网

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()是指技术系统趋向于首先向集成度增加的方向，紧接着再进行简化。
A子系统的不均衡进化法则
B向超系统进化法则
C向微观级和场的应用进化法则
D增加集成度再简化法则

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以下关于CMOS系列集成门电路说法中，正确的是(　　)
A.主要由场效应管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快B.主要由场效应管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢C.主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快D.主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢
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[单选]大规模集成电路是集成度在（）电子元件的集成电路；超大规模集成电路一般指集成度达（）电子元件的集成电路。
A．1000左右，1万个左右
B．3000-10万，10万-100万
C．100-5000，5000-1万
D．500-5万，5万-50万
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下面关于随机存取存储器（RAM）的叙述中，正确的是（　　）。
A、静态RAM（SRAM）集成度低，但存取速度快且无须“刷新”
B、DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用
C、DRAM的存取速度比SRAM快
D、DRAM中存储的数据断电后不会丢失

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计算机组成设计不考虑___。
A.专用部件设置
B.功能部件的集成度
C.控制机构的组成
D.缓冲技术
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