应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知:
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部,即r

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  • 关于主磁场的说法,错误的是(  )。

    A、场强较高的磁共振设备化学位移伪影较小

    B、磁场强度越大,设备造价越高

    C、主磁场强度大小就是常说的静磁场的大小

    D、在一定范围内,主磁场强度越高,图像信噪比越高

    E、提高主磁场强度的唯一途径就是采用超导磁体

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  • 应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知(  )。

    A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同

    B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度

    C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度

    D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比

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    • A.原子核的旋磁比与主磁场强度
    • B.原子核的旋磁比与梯度磁场强度
    • C.原子核的旋磁比与RF脉冲强度
    • D.主磁场强度与梯度磁场强度
    • E.主磁场强度与RF脉冲强度
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    C.磁感应强度的单位是"奥斯特",磁场强度的单位是"特斯拉"
    D.磁场强度H的方向和所在点磁感应强度B的方向相反
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  • 应用安培环路定律∮LHdL=∑I,半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出()。

    A、在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同

    B、r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度

    C、r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度

    D、在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比

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