应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知:
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部,即r
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应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知:
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部,即r
关于主磁场的说法,错误的是( )。
A、场强较高的磁共振设备化学位移伪影较小
B、磁场强度越大,设备造价越高
C、主磁场强度大小就是常说的静磁场的大小
D、在一定范围内,主磁场强度越高,图像信噪比越高
E、提高主磁场强度的唯一途径就是采用超导磁体
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同
B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
核磁共振的共振频率与哪项有关
应用安培环路定律∮LHdL=∑I,半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出()。
A、在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同
B、r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C、r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D、在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比