单晶硅太阳能电池采用（）表面来增加表面积，用沉积Si3N4作（）膜来降低入射光的反射，用在扩散层表面氧化生长（）nm的钝化层，改变表面层硅原子价键失配，减少表面复合，提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时，反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的（）
与溶液的渗透压相关的因素为溶质的
A、分子量
B、重量
C、分子数
D、分子形状
E、原子价
A.
B.
C.
D.
