单晶硅太阳能电池采用()表面来增加表面积,用沉积Si3N4作()膜来降低入射光的反射,用在扩散层表面氧化生长()nm的钝化层,改变表面层硅原子价键失配,减少表面复合,提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时,反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的()
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单晶硅太阳能电池采用()表面来增加表面积,用沉积Si3N4作()膜来降低入射光的反射,用在扩散层表面氧化生长()nm的钝化层,改变表面层硅原子价键失配,减少表面复合,提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时,反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的()