MOSFET的温度特性体现为:()。
A、温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高
B、温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降
C、温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高
D、温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降
PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
A、非平衡载流子浓度成正比;
B、平衡载流子浓度成正比;
C、非平衡载流子浓度成反比;
D、平衡载流子浓度成反比。