MOSFET的温度特性体现为：（）。
A、温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高
B、温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降
C、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高
D、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
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MOSFET的温度特性体现为：（）。
A、温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高
B、温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降
C、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高
D、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变
简述光生伏特效应中正确的是（）
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；
C、平衡载流子破坏原来的热平衡；
D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。