关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。
A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥
C、集力敏与力电转换检测于一体
D、根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。
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关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。
A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥
C、集力敏与力电转换检测于一体
D、根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。
有两块单晶硅样品,它们分别掺有1015cm-3的硼和磷,试计算300K时这两块样品的电阻率,并说明为什么N型硅的导电性比同等掺杂的P型硅好。