通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。
A、空穴移向衬底深处
B、空穴移向二氧化硅层
C、电子移向二氧化硅层
D、电子移向衬底层深处
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通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。
A、空穴移向衬底深处
B、空穴移向二氧化硅层
C、电子移向二氧化硅层
D、电子移向衬底层深处
二氧化硅的种类及类型不同,对人体的危害作用也不同,哪一种致纤维化作用最强().
A、非结晶性二氧化硅
B、结合型二氧化硅
C、结晶型二氧化硅
D、游离型二氧化硅
半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于()。
A、结晶形二氧化硅
B、无定形二氧化硅
热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动,在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。
A、对
B、错