T=300K,n型硅衬底杂质浓度为ND=1016cm-3,计算肖特基势垒高度ΦB0、半导体侧的接触电势差Vbi、空间电荷区厚度W。 相关热点: 接触电势差 电势差 有疑问?点此联系我们 收藏该题 查看答案