下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( )
A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子
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光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3，求少数载流子浓度和电阻率。
PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）
A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散
B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移
C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散
D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
简述光生伏特效应中正确的是（）
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；
C、平衡载流子破坏原来的热平衡；
D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。