本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

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  • 若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称(),若以自由电子导电为主的称()。

    A、PNP型半导体/NPN型半导体

    B、N型半导体/P型半导体

    C、PN结/PN结

    D、P型半导体/N型半导体

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    • A.心线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层
    • B.心线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层
    • C.心线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层
    • D.心线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层
    • E.心线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层
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    A.正确

    B.错误

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  • [单项选择题]若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称(),若以自由电子导电为主的称()。
    A.PNP型半导体/NPN型半导体
    B.N型半导体/P型半导体
    C.PN结/PN结
    D.P型半导体/N型半导体
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  • 下述说法中,正确的是() [5分]
    A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
    所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
    B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
    C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
    D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
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    A.
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