关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()
A、自由电子和空穴总是成对出现
B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动
C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加
D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和
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关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()
A、自由电子和空穴总是成对出现
B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动
C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加
D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和
MOSFET的温度特性体现为:()。
A、温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高
B、温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降
C、温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高
D、温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
A、非平衡载流子浓度成正比;
B、平衡载流子浓度成正比;
C、非平衡载流子浓度成反比;
D、平衡载流子浓度成反比。